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Western Digital和Kioxia宣布BiCS5 112層3D NAND

2020-02-13 01:00 ? 次閱讀

Western Digital和Kioxia宣布成功開發了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開始生產,但要到今年下半年才能增加到“有意義的商業量”。計劃用于這一代的其他部件包括1Tbit TLC和1.33 Tbit QLC管芯。

BiCS5設計使用112層,而BiCS4使用96層。BiCS5是來自WDC / Kioxia的第二代,將使用字符串堆棧進行構建,并且可能被構造為兩個堆棧,每個堆棧約56個活動層。盡管與上一代產品相比,112層僅增加了約16%,但兩家公司仍聲稱密度增加了40%(按每晶圓位的數量,將112L 512Gb TLC與96L 256Gb TLC進行了比較)。允許縮小水平尺寸的設計。據說存儲器陣列本身的密度大約高20%。內存接口速度已提高了50%,應該達到1.2GT / s,與大多數96L競爭對手相同。

BiCS5零件將于本季度開始提供樣品。隨著下半年產量的增加,使用BICS5的SSD和其他產品最早可能會在2020年底左右投放市場。Western Digital先前曾表示,他們打算讓BiCS5過渡所需的CapEx低于64L到96L過渡,從而扭轉了世代更新價格不斷上漲的趨勢。這意味著向112L的遷移可能會比上一次過渡還要慢,而且96L BiCS4將在相當長的一段時間內成為其產量的主要部分。

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